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电磁炮带来的国产功率器件价值

2018年03月13日 10:38
作者:赵成
来源: 财通证券
编辑:东方财富网

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  事件:中国官方主动证实新型武器电磁炮装置军舰进行测试成功,并宣称中国在电磁炮研发进度超越美国。在电磁炮技术中,绝缘栅双极电晶片(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)最重要,这种晶片被视为是电磁炮的关键组件。

  国内MOSFET标的稀缺,成国产替代大风口

  功率MOSFET市场中英飞凌、仙童半导体、日本瑞萨电子、欧洲意法半导体、日本东芝等厂商占据了绝大部分市场份额,前五大厂商的市场占有率合计达到了60.1%。全球IGBT器件及模块主要是德国英飞凌及赛米控(semikron),日本三菱及富士电机,美国仙童半导体基本把控了全球市场,前五大厂商占据了73.2%的市场份额。目前以扬杰科技士兰微为代表的功率半导体龙头企业市场占有率不1%,进口替代的空间巨大。

  国家大基金二期成立,功率器件成关键点

  国家大基金第二期已在募资中,预计规模将达人民币1500~2000亿元,投资项目将有所调整。政府从中央到地方对半导体产业支持力道将持续扩大,国家大基金锁定记忆体、碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等化合物半导体、以人工智能及物联网为主的IC设计等三大领域加强投资。增强特色工艺专用芯片制造能力,带动电源管理、高压驱动、功率器件、IGBT、显示驱动等芯片设计水平的提升;推进化学物半导体器件的发展。

  优质标的提前布局,市场可发挥空间充足

  扬杰科技是中国半导体功率器件十强排名第2位,成功研制出超薄大功率集成电路封装产品,公司积极推进SiC芯片与器件的研发进程,待产业化技术成熟后,合理规划相应产能。士兰微与厦门市政府签订战略合作协议,拟合作建设项目包括:12寸特色工艺芯片项目(170亿元),建设两条12寸90-65nm的特色工艺芯片生产线。先进化合物半导体项目(50亿元),建设4/6寸兼容先进化合物半导体器件生产线。其中功率器件MOSFET与IGBT是公司未来的发展方向。

  风险提示:国际市场竞争加剧;下游应用扩展不及预期。

(责任编辑:DF302)

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